文献
J-GLOBAL ID:200902289351000319
整理番号:08A1231517
エッジ規定膜供給成長法によるβ-Ga2O3単結晶の成長
Growth of β-Ga2O3 Single Crystals by the Edge-Defined, Film Fed Growth Method
著者 (6件):
AIDA Hideo
(Namiki Precision Jewel Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
NISHIGUCHI Kengo
(Namiki Precision Jewel Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
TAKEDA Hidetoshi
(Namiki Precision Jewel Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
AOTA Natsuko
(Namiki Precision Jewel Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
SUNAKAWA Kazuhiko
(Namiki Precision Jewel Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
YAGUCHI Yoichi
(Namiki Precision Jewel Co., Ltd., Tokyo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
47
号:
11
ページ:
8506-8509
発行年:
2008年11月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)