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文献
J-GLOBAL ID：200902289449825235
整理番号：06A0716224
集積傾きフィールドプレートを持つAlGaN/GaN・HEMTで達成された高破壊電圧
High Breakdown Voltage Achieved on AlGaN/GaN HEMTs With Integrated Slant Field Plates
DORA Y.
(Univ. California, CA, USA)
,
CHAKRABORTY A.
(Univ. California, CA, USA)
,
MCCARTHY L.
(Univ. California, CA, USA)
,
KELLER S.
(Univ. California, CA, USA)
,
DENBAARS S. P.
(Univ. California, CA, USA)
,
MISHRA U. K.
(Univ. California, CA, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 27 号： 9 ページ： 713-715 発行年： 2006年09月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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