文献
J-GLOBAL ID:200902289592580634
整理番号:06A0609610
SiO2薄膜上の超高密度量子閉じ込めゲルマニウムドットの成長
Growth of ultrahigh-density quantum-confined germanium dots on SiO2 thin films
著者 (8件):
BERBEZIER I.
(L2MP UMR CNRS 6137, Polytech Marseille-Technopole de Chateau Gombert, 13451 Marseille Cedex 20, FRA)
,
KARMOUS A.
(L2MP UMR CNRS 6137, Polytech Marseille-Technopole de Chateau Gombert, 13451 Marseille Cedex 20, FRA)
,
RONDA A.
(L2MP UMR CNRS 6137, Polytech Marseille-Technopole de Chateau Gombert, 13451 Marseille Cedex 20, FRA)
,
SGARLATA A.
(Dipartimento di Fisica, Unita’ CNISM, Universita’ di Roma Tor Vergata, 00133 Roma, ITA)
,
BALZAROTTI A.
(Dipartimento di Fisica, Unita’ CNISM, Universita’ di Roma Tor Vergata, 00133 Roma, ITA)
,
CASTRUCCI P.
(Dipartimento di Fisica, Unita’ CNISM, Universita’ di Roma Tor Vergata, 00133 Roma, ITA)
,
SCARSELLI M.
(Dipartimento di Fisica, Unita’ CNISM, Universita’ di Roma Tor Vergata, 00133 Roma, ITA)
,
DE CRESCENZI M.
(Dipartimento di Fisica, Unita’ CNISM, Universita’ di Roma Tor Vergata, 00133 Roma, ITA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
89
号:
6
ページ:
063122-063122-3
発行年:
2006年08月07日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)