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J-GLOBAL ID：200902289902135547 整理番号：08A0575251

バルク敏感x線光電子分光法において観測される透明な非晶質酸化物半導体,In-Ga-Zn-O,におけるサブギャップ状態

Subgap states in transparent amorphous oxide semiconductor, In-Ga-Zn-O, observed by bulk sensitive x-ray photoelectron spectroscopy

著者 (8件)：

NOMURA Kenji

(ERATO-SORST, JST, in Frontier Res. Center, Mailbox S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...)

KAMIYA Toshio

(ERATO-SORST, JST, in Frontier Res. Center, Mailbox S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...)

YANAGI Hiroshi

(Materials and Structures Lab., Mailbox R3-1, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)

IKENAGA Eiji

(SPring-8, Japan Synchrotron Radiation Res. Inst., 1-1-1 Kouto, Mikazuki-cho, Hyogo 679-5198, JPN)

YANG Ke

(SPring-8, Japan Synchrotron Radiation Res. Inst., 1-1-1 Kouto, Mikazuki-cho, Hyogo 679-5198, JPN)

KOBAYASHI Keisuke

(SPring-8 Beamline Station, National Inst. for Materials Sci., 1-1-1 Kouto, Mikazuki-cho, Hyogo 679-5198, JPN)

HIRANO Masahiro

(ERATO-SORST, JST, in Frontier Res. Center, Mailbox S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...)

HOSONO Hideo

(ERATO-SORST, JST, in Frontier Res. Center, Mailbox S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...)

資料名：

Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

巻： 92 号： 20 ページ： 202117 発行年： 2008年05月19日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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