文献
J-GLOBAL ID:200902290224122390
整理番号:05A0293296
スパッタ蒸着したNi膜とSi基板との間の界面反応の評価
Characterization of the interfacial reaction between sputter-deposited Ni film and Si substrate
著者 (5件):
ZHOU R
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
,
CHEN C C
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
,
HASHIMOTO M
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
,
SHI J
(Tokyo Isnt. Technol., Tokyo, JPN)
,
NAKAMURA Y
(Tokyo Isnt. Technol., Tokyo, JPN)
資料名:
Applied Physics. A. Materials Science & Processing
(Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻:
A80
号:
1
ページ:
179-182
発行年:
2005年01月
JST資料番号:
D0256C
ISSN:
0947-8396
CODEN:
APHYCC
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)