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文献
J-GLOBAL ID：200902290279923618
整理番号：07A0602267
Cat-CVD SiNを用いる強化モードAlN/GaN HFET
Enhancement-Mode AlN/GaN HFETs Using Cat-CVD SiN
HIGASHIWAKI Masataka
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
,
MIMURA Takashi
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
,
MIMURA Takashi
(Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN)
,
MATSUI Toshiaki
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 54 号： 6 ページ： 1566-1570 発行年： 2007年06月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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