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文献
J-GLOBAL ID：200902290303481320
整理番号：03A0590400
すべてのリソグラフィーレベルにおけるナノインプリントを用いる4インチウエハ上の60nmトランジスタの作製
Fabrication of 60-nm transistors on 4-in. wafer using nanoimprint at all lithography levels
ZHANG W
(Princeton Univ., New Jersey)
,
CHOU S Y
(Princeton Univ., New Jersey)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 83 号： 8 ページ： 1632-1634 発行年： 2003年08月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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