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文献
J-GLOBAL ID：200902290378271746
整理番号：03A0692626
n+pp+背面電場構造をもつFe汚染両面シリコン太陽電池におけるキャリア寿命を改善するための低温ほう素ゲッタリング
Low-Temperature Boron Gettering for Improving the Carrier Lifetime in Fe-Contaminated Bifacial Silicon Solar Cells with n+pp+ Back-Surface-Field Structure
JOGE T
(Hitachi Ltd., Ibaraki, JPN)
,
ARAKI I
(Hitachi Ltd., Ibaraki, JPN)
,
UEMATSU T
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
WARABISAKO T
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
NAKASHIMA H
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
MATSUKUMA K
(Sojo Univ., Kumamoto, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42 号： 9A ページ： 5397-5404 発行年： 2003年09月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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