文献
J-GLOBAL ID:200902290391990689
整理番号:09A0100577
F2表面処理したHfO2/Ge MIS構造の電気的特性評価
Electrical characterization of HfO2/Ge MIS structure treated by fluorine gas
著者 (5件):
今庄秀人
(大阪大 大学院基礎工学研究科)
,
LEE Hyun
(大阪大 大学院基礎工学研究科)
,
吉岡祐一
(大阪大 大学院基礎工学研究科)
,
金島岳
(大阪大 大学院基礎工学研究科)
,
奥山雅則
(大阪大 大学院基礎工学研究科)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
108
号:
335(SDM2008 184-195)
ページ:
59-64
発行年:
2008年11月28日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)