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文献
J-GLOBAL ID：200902290599107410
整理番号：09A0887046
49GHzの3dB帯域幅をもつSi上のGe pinフォトダイオード
Ge-on-Si p-i-n Photodiodes With a 3-dB Bandwidth of 49GHz
KLINGER S.
(Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU)
,
BERROTH M.
(Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU)
,
KASCHEL M.
(Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU)
,
OEHME M.
(Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU)
,
KASPER E.
(Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU)
資料名：
IEEE Photonics Technology Letters
(IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 21 号： 13/16 ページ： 920-922 発行年： 2009年07月01日
JST資料番号： T0721A ISSN： 1041-1135 CODEN： IPTLEL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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