文献
J-GLOBAL ID:200902290722307658
整理番号:06A0059101
六方晶炭化けい素系バイポーラ素子の劣化
Degradation of hexagonal silicon-carbide-based bipolar devices
著者 (2件):
SKOWRONSKI M.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Carnegie Mellon Univ., Pittsburgh, Pennsylvania 15213)
,
HA S.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Carnegie Mellon Univ., Pittsburgh, Pennsylvania 15213)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
99
号:
1
ページ:
011101-011101-24
発行年:
2006年01月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)