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文献
J-GLOBAL ID:200902290934195884   整理番号:07A1208330

ヘキサデカン中における高電場走査プローブリソグラフィー: 表面修飾による電場誘起酸化から溶媒分解への転移

High-Field Scanning Probe Lithography in Hexadecane: Transitioning from Field Induced Oxidation to Solvent Decomposition through Surface Modification
著者 (11件):
SUEZ Itai
(Univ. California, CA, USA)
ROLANDI Marco
(Univ. California, CA, USA)
ROLANDI Marco
(Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)
BACKER Scott A
(Univ. California, CA, USA)
SCHOLL Andreas
(Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)
DORAN Andrew
(Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)
OKAWA David
(Univ. California, CA, USA)
ZETTI Alex
(Univ. California, CA, USA)
ZETTI Alex
(Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)
FRECHET Jean M J
(Univ. California, CA, USA)
FRECHET Jean M J
(Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)

資料名:
Advanced Materials  (Advanced Materials)

巻: 19  号: 21  ページ: 3570-3573  発行年: 2007年11月05日 
JST資料番号: W0001A  ISSN: 0935-9648  CODEN: ADVMEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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