文献
J-GLOBAL ID:200902290965985328
整理番号:09A0347496
アスペクト比トラッピングを用いたSi0.2Ge0.8構造上への低欠陥,圧縮歪みGeの作製
Fabrication of Low-Defectivity, Compressively Strained Ge on Si0.2Ge0.8 Structures Using Aspect Ratio Trapping
著者 (7件):
PARK J.-S.
(AmberWave Systems Corp., New Hampshire, USA)
,
CURTIN M.
(AmberWave Systems Corp., New Hampshire, USA)
,
HYDRICK J. M.
(AmberWave Systems Corp., New Hampshire, USA)
,
BAI J.
(AmberWave Systems Corp., New Hampshire, USA)
,
CARROLL M.
(AmberWave Systems Corp., New Hampshire, USA)
,
FIORENZA J. G.
(AmberWave Systems Corp., New Hampshire, USA)
,
LOCHTEFELD A.
(AmberWave Systems Corp., New Hampshire, USA)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
156
号:
4
ページ:
H249-H254
発行年:
2009年
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)