文献
J-GLOBAL ID:200902291311154652
整理番号:05A1003528
Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響
Electrical Properties of Ni/i-AlGaN/GaN Gate Structures and Influence of Thermal Annealing
著者 (5件):
沢田孝幸
(北海道工大)
,
米田里志
(北海道工大)
,
高橋健輔
(北海道工大)
,
KIM Seong-Woo
(日本工大)
,
鈴木敏正
(日本工大)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
105
号:
325(ED2005 118-138)
ページ:
79-84
発行年:
2005年10月06日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)