文献
J-GLOBAL ID:200902291312599186
整理番号:04A0874804
大電力マイクロ波プラズマ化学蒸着で成長した高品質ほう素添加ホモエピタキシャルダイヤモンド
High-quality boron-doped homoepitaxial diamond grown by high-power microwave-plasma chemical-vapor deposition
著者 (4件):
TERAJI T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
ARIMA K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
WADA H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
ITO T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
96
号:
10
ページ:
5906-5908
発行年:
2004年11月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)