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文献
J-GLOBAL ID：200902291327221279
整理番号：09A0802799
強重力場下でのInSb半導体中の不純物原子の堆積
Sedimentation of impurity atoms in InSb semiconductor under a strong gravitational field
IGUCHI Yusuke
(Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN)
,
ONO Masao
(Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki, JPN)
,
OKAYASU Satoru
(Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki, JPN)
,
MASHIMO Tsutomu
(Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN)
,
MASHIMO Tsutomu
(Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki, JPN)
資料名：
Defect and Diffusion Forum
(Defect and Diffusion Forum)
巻： 289/292 ページ： 319-322 発行年： 2009年
JST資料番号： D0958B ISSN： 1012-0386 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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