文献
J-GLOBAL ID:200902291485423229
整理番号:05A0079319
高密度低消費電力FeRAMメモリセルアーキテクチャー
High Density and Low Power Nonvolatile FeRAM Memory Cell Architecture
著者 (9件):
平野博茂
(松下電器産業 プロセス開発セ)
,
坂上雅彦
(松下電器産業 プロセス開発セ)
,
山岡邦吏
(松下電器産業 システムLSI開発本部)
,
中熊哲治
(松下電器産業 プロセス開発セ)
,
岩成俊一
(松下電器産業 システムLSI開発本部)
,
村久木康夫
(松下電器産業 システムLSI開発本部)
,
三木隆
(松下電器産業 プロセス開発セ)
,
五宝靖
(松下電器産業 システムLSI開発本部)
,
藤井英治
(松下電器産業 プロセス開発セ)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
104
号:
510(SDM2004 192-208)
ページ:
93-98
発行年:
2004年12月09日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)