文献
J-GLOBAL ID:200902291707388680
整理番号:06A1033613
高いキャリア濃度を持つ高品質の自立したGaNウエハの熱的および電気的性質
Thermal and Electrical Properties of High-Quality Freestanding GaN Wafers with High Carrier Concentration
著者 (5件):
OSHIMA Yuichi
(Hitachi Cable, Ltd., Ibaraki, JPN)
,
YOSHIDA Takehiro
(Hitachi Cable, Ltd., Ibaraki, JPN)
,
ERI Takeshi
(Hitachi Cable, Ltd., Ibaraki, JPN)
,
SHIBATA Masatomo
(Hitachi Cable, Ltd., Ibaraki, JPN)
,
MISHIMA Tomoyoshi
(Hitachi Cable, Ltd., Ibaraki, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
45
号:
10A
ページ:
7685-7687
発行年:
2006年10月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)