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文献
J-GLOBAL ID：200902291742686929
整理番号：05A0418941
分子ビームエピタクシーにより成長した電気的アイソレーションテンプレートとしてのCドープGaNバッファ層をもつAlGaN/GaN電界効果トランジスタ
AlGaN/GaN field effect transistors with C-doped GaN buffer layer as an electrical isolation template grown by molecular beam epitaxy
HAFFOUZ S.
(National Res. Council Canada, Ottawa, CAN)
,
TANG H.
(National Res. Council Canada, Ottawa, CAN)
,
BARDWELL J.A.
(National Res. Council Canada, Ottawa, CAN)
,
HSU E.M.
(National Res. Council Canada, Ottawa, CAN)
,
WEBB J.B.
(National Res. Council Canada, Ottawa, CAN)
,
ROLFE S.
(National Res. Council Canada, Ottawa, CAN)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 49 号： 5 ページ： 802-807 発行年： 2005年05月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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