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文献
J-GLOBAL ID：200902291937491251
整理番号：05A0154145
金属ゲート電極の集積化に関する課題
Challenges for the Integration of Metal Gate Electrodes
SCHAEFFER J K
(Freescale Semiconductor, Inc., TX, USA)
,
CAPASSO C
(Freescale Semiconductor, Inc., TX, USA)
,
FONSECA L R C
(Freescale Semiconductor, Inc., TX, USA)
,
SAMAVEDAM S
(Freescale Semiconductor, Inc., TX, USA)
,
GILMER D C
(Freescale Semiconductor, Inc., TX, USA)
,
LIANG Y
(Freescale Semiconductor, Inc., TX, USA)
,
KALPAT S
(Freescale Semiconductor, Inc., TX, USA)
,
ADETUTU B
(Freescale Semiconductor, Inc., TX, USA)
,
TSENG H-H
(Freescale Semiconductor, Inc., TX, USA)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2004 ページ： 287-290 発行年： 2004年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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