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J-GLOBAL ID：200902291944417318 整理番号：05A0827520

45nmノード対応の極薄VNバリヤを用いたCu/VN/SiOC/Si構造のナノ界面制御

Formation of Interfaces with Well-controlled Interfacial Reaction and Diffusion in Cu/VN/SiOC/Si System Using Ultra-thin VN Barrier

著者 (4件)：

武山真弓

(北見工大)

水野源大

(北見工大)

青柳英二

(東北大金属材料研)

野矢厚

(北見工大)

資料名：

電子情報通信学会技術研究報告 (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻： 105 号： 223(CPM2005 59-65) ページ： 29-34 発行年： 2005年07月25日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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