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文献
J-GLOBAL ID：200902291956699963
整理番号：06A0540420
多量のBイオン注入を用いるダイヤモンド中への低抵抗のp+層の形成
Low-resistance p+ layer formation into diamond using heavily B ion implantation
TSUBOUCHI Nobuteru
(Diamond Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda ...)
,
OGURA Masahiko
(Diamond Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda ...)
,
HORINO Yuji
(Diamond Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda ...)
,
OKUSHI Hideyo
(Diamond Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 89 号： 1 ページ： 012101-012101-3 発行年： 2006年07月03日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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