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文献
J-GLOBAL ID：200902292068741613
整理番号：07A0770974
60mV/dec以下のサブしきい値変動(SS)を備えたトンネル電界効果トランジスタ(TFET)
Tunneling Field-Effect Transistors (TFETs) With Subthreshold Swing (SS) Less Than 60mV/dec
CHOI Woo Young
(Univ. California, CA, USA)
,
PARK Byung-Gook
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
LEE Jong Duk
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
LIU Tsu-Jae King
(Univ. California, CA, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 28 号： 8 ページ： 743-745 発行年： 2007年08月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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