文献
J-GLOBAL ID:200902292404539097
整理番号:08A1259925
負電荷誘電体Al2O3によるc-Si表面不動態化機構
On the c-Si surface passivation mechanism by the negative-charge-dielectric Al2O3
著者 (4件):
HOEX B.
(Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD)
,
GIELIS J. J. H.
(Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD)
,
VAN DE SANDEN M. C. M.
(Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD)
,
KESSELS W. M. M.
(Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
104
号:
11
ページ:
113703
発行年:
2008年12月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)