文献
J-GLOBAL ID:200902292425455241
整理番号:05A0326422
負ワード線バイアスを有する256MビットDRAMのパッケージング工程中のSi-H結合切断で誘起される保持劣化
Si-H Bond Breaking Induced Retention Degradation During Packaging Process of 256 Mbit DRAMs With Negative Wordline Bias
著者 (7件):
CHANG Minchen
(Chung Gung Univ., Tao-Yuan, TWN)
,
LIN Jengping
(Chung Gung Univ., Tao-Yuan, TWN)
,
LAI Chao-Sung
(Chung Gung Univ., Tao-Yuan, TWN)
,
CHANG Ruey-Dar
(Chung Gung Univ., Tao-Yuan, TWN)
,
SHIH Steven N.
(Nanya Technol. Corp. Technol., Tao-Yuan, TWN)
,
WANG Mao-Ying
(Nanya Technol. Corp. Technol., Tao-Yuan, TWN)
,
LEE Pei-Ing
(Nanya Technol. Corp. Technol., Tao-Yuan, TWN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
52
号:
4
ページ:
484-491
発行年:
2005年04月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)