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文献
J-GLOBAL ID：200902292643418110
整理番号：05A0535220
光化学蒸着したSiO2層をもつAlGaN/GaN/AlGaN二重ヘテロ構造金属-酸化物-光化学蒸着半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタの高温性能と低周波数ノイズ特性
High Temperature Performance and Low Frequency Noise Characteristics of AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructure Metal-Oxide-Semiconductor Heterostructure Field-Effect-Transistors with Photochemical Vapor Deposition SiO2 Layer
WANG Chun-Kai
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHANG Shoou-Jinn
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
SU Yan-Kuin
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHIOU Yu-Zung
(Southern Taiwan Univ. Technol., Tainan, TWN)
,
KUO Cheng-Huang
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHANG Chia-Sheng
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
LIN Tien-Kun
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
KO Tsun-Kai
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
TANG Jing-Jou
(Southern Taiwan Univ. Technol., Tainan, TWN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44 号： 4B ページ： 2458-2461 発行年： 2005年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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