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文献
J-GLOBAL ID：200902292766038843
整理番号：06A0594123
T字型のゲートダイアモンド金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスターの作成
Fabrication of T-Shaped Gate Diamond Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistors
HIRAMA Kazuyuki
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
MIYAMOTO Shingo
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
MATSUDAIRA Hiroki
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
UMEZAWA Hitoshi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
UMEZAWA Hitoshi
(NEDO (New Energy and Industrial Technol. Dev. Organization), Kawasaki, JPN)
,
KAWARADA Hiroshi
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
KAWARADA Hiroshi
(NEDO (New Energy and Industrial Technol. Dev. Organization), Kawasaki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 45 号： 7 ページ： 5681-5684 発行年： 2006年07月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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