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文献
J-GLOBAL ID：200902292791446018
整理番号：05A0131449
サファイア(0001)微斜面基板上に成長させたGaN薄膜における貫通転位密度の減少
Reduction of the threading dislocation density in GaN films grown on vicinal sapphire (0001) substrates
SHEN X Q
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MATSUHATA H
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
OKUMURA H
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 86 号： 2 ページ： 021912.1-021912.3 発行年： 2005年01月10日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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