文献
J-GLOBAL ID:200902292802915074
整理番号:06A0131668
新しく開発したMOSFETアレイ試験構造を用いた90nm MOSFETサブしきい値こぶ特性の研究
Study of 90-nm MOSFET subthreshold hump characteristics using newly developed MOSFET array test structure
著者 (6件):
MIZUMURA Akira
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
OISHI Tetsuya
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
YOKOYAMA Nobuhiko
(Sony LSI Design Inc., Nagasaki, JPN)
,
NONAKA Mie
(Sony LSI Design Inc., Nagasaki, JPN)
,
TANAKA Shigeyuki
(Sony LSI Design Inc., Nagasaki, JPN)
,
AMMO Hiroaki
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
(IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing)
巻:
19
号:
1
ページ:
19-26
発行年:
2006年02月
JST資料番号:
T0521A
ISSN:
0894-6507
CODEN:
ITSMED
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)