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文献
J-GLOBAL ID：200902293214054590
整理番号：05A0172296
2nmゲート酸化膜の先進的CMOS技術におけるNBTIとPBTI下での界面トラップ発生とホールトラッピング
Interface Trap Generation and Hole Trapping Under NBTI and PBTI in Advanced CMOS Technology With a 2-nm Gate Oxide
DENAIS M
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
HUARD V
(Philips Semiconductors, Crolles, FRA)
,
PARTHASARATHY C
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
RIBES G
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
PERRIER F
(Philips Semiconductors, Crolles, FRA)
,
REVIL N
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
BRAVAIX A
(ISEN, Toulon, FRA)
資料名：
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
(IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 4 号： 4 ページ： 715-722 発行年： 2004年12月
JST資料番号： W1320A ISSN： 1530-4388 CODEN： ITDMA2 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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