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文献
J-GLOBAL ID：200902293490029078
整理番号：04A0370704
ダイオードポンプ固体連続波レーザ横結晶化法により非アルカリガラス基板に作製した高性能低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ
High Performance Low Temperature Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors on Non-alkaline Glass Produced Using Diode Pumped Solid State Continuous Wave Laser Lateral Crystallization
HARA A
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
TAKEI M
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
TAKEUCHI F
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
SUGA K
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
YOSHINO K
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
CHIDA M
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
KAKEHI T
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
EBIKO Y
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
SANO Y
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43 号： 4A ページ： 1269-1276 発行年： 2004年04月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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