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文献
J-GLOBAL ID：200902293670456993
整理番号：03A0489706
準安定電子放出顕微観察と光電子放出顕微観察によって調べた構造化SiO2/Si(100)上へのCuPc薄膜の成長
Growth of CuPc Thin Films on Structured SiO2/Si(100) Studied by Metastable Electron Emission Microscopy and Photoelectron Emission Microscopy
ONOUE M
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
IBE T
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
MIYAUCHI J
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
SHIONOIRI M
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
ABDUREYM A
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
KERA S
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
OKUDAIRA K K
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
HARADA Y
(Seitoku Univ., Matsudo, JPN)
,
UENO N
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42 号： 6A ページ： 3588-3592 発行年： 2003年06月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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