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文献
J-GLOBAL ID：200902293730862430
整理番号：07A1116380 その場Bドープけい素ナノワイヤ内の電気活性不純物のRaman散乱研究 アニーリング及び酸化の効果
Raman Scattering Studies of Electrically Active Impurities in in Situ B-Doped Silicon Nanowires: Effects of Annealing and Oxidation
KAWASHIMA Takahiro
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
, IMAMURA Goh
(Kobe Univ., Kobe, JPN)
, SAITOH Tohru
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
, KOMORI Kazunori
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
, FUJII Minoru
(Kobe Univ., Kobe, JPN)
, HAYASHI Shinji
(Kobe Univ., Kobe, JPN)
資料名：
Journal of Physical Chemistry C
(Journal of Physical Chemistry C)
巻： 111 号： 42 ページ： 15160-15165 発行年： 2007年10月25日
JST資料番号： W1877A ISSN： 1932-7447 CODEN： JPCCCK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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