文献
J-GLOBAL ID:200902293825792103
整理番号:03A0612106
HfC被覆Si電界エミッタアレイの作製と評価
Fabrication and characterization of HfC coated Si field emitter arrays
著者 (6件):
SATO T
(Tsukuba Univ., Ibaraki, JPN)
,
YAMAMOTO S
(Tsukuba Univ., Ibaraki, JPN)
,
NAGAO M
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
MATSUKAWA T
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
KANEMARU S
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
ITOH J
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
21
号:
4
ページ:
1589-1593
発行年:
2003年07月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)