文献
J-GLOBAL ID:200902293949335347
整理番号:04A0441250
強誘電性ゲート誘電体を持つナノワイヤトランジスタ 増強された性能および記憶効果
Nanowire transistors with ferroelectric gate dielectrics: Enhanced performance and memory effects
著者 (6件):
LEI B
(Univ. Southern California, California)
,
LI C
(Univ. Southern California, California)
,
ZHANG D
(Univ. Southern California, California)
,
ZHOU Q F
(Univ. Southern California, California)
,
SHUNG K K
(Univ. Southern California, California)
,
ZHOU C
(Univ. Southern California, California)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
84
号:
22
ページ:
4553-4555
発行年:
2004年05月31日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)