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文献
J-GLOBAL ID：200902294121322124
整理番号：04A0447971
磁気ナノドットのある新規不揮発性メモリの提案
Proposal of New Nonvolatile Memory with Magnetic Nano-Dots
SAKAGUCHI T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
HONG Y-G
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KOBAYASHI M
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
TAKATA M
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
CHOI H
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SHIM J-C
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KURINO H
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KOYANAGI M
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43 号： 4B ページ： 2203-2206 発行年： 2004年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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