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文献
J-GLOBAL ID：200902294124388274
整理番号：06A0134813
GaN電界効果トランジスタにおける緩慢電流過渡および電流崩壊に対するバッファ捕獲効果の物理的シミュレーション
Physics-based simulation of buffer-trapping effects on slow current transients and current collapse in GaN field effect transistors
HORIO Kazushige
(Fac. of Systems Engineering, Shibaura Inst. of Technol., 307 Fukasaku, Minuma-ku, Saitama 337-8570, JPN)
,
YONEMOTO Ken
(Fac. of Systems Engineering, Shibaura Inst. of Technol., 307 Fukasaku, Minuma-ku, Saitama 337-8570, JPN)
,
TAKAYANAGI Hiroki
(Fac. of Systems Engineering, Shibaura Inst. of Technol., 307 Fukasaku, Minuma-ku, Saitama 337-8570, JPN)
,
NAKANO Hiroyuki
(Fac. of Systems Engineering, Shibaura Inst. of Technol., 307 Fukasaku, Minuma-ku, Saitama 337-8570, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 98 号： 12 ページ： 124502-124502-7 発行年： 2005年12月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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