文献
J-GLOBAL ID:200902294146095440
整理番号:08A0790809
太陽電池用にRFマグネトロンスパッタしたZnO:Al薄膜に対するAl2O3ドーピング濃度の影響
Effect on Al2O3 Doping Concentration of RF Magnetron Sputtered ZnO:Al Films for Solar Cell Applications
著者 (4件):
JEONG Chaehwan
(Korea Inst. Industrial Technol., Gwangju, KOR)
,
KIM Ho-Sung
(Korea Inst. Industrial Technol., Gwangju, KOR)
,
CHANG Duck-Rye
(Korea Inst. Industrial Technol., Gwangju, KOR)
,
KAMISAKO Koichi
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
47
号:
7 Issue 1
ページ:
5656-5658
発行年:
2008年07月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)