文献
J-GLOBAL ID:200902294528572826
整理番号:08A0361087
非晶質InGaZnO4薄膜トランジスタのモデリング及びそのサブギャップ状態密度
Modeling of amorphous InGaZnO4 thin film transistors and their subgap density of states
著者 (5件):
HSIEH Hsing-hung
(Frontier Collaborative Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)
,
KAMIYA Toshio
(Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)
,
NOMURA Kenji
(ERATO-SORST, Japan Sci. and Technol. Agency, in Frontier Collaborative Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 ...)
,
HOSONO Hideo
(Frontier Collaborative Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)
,
WU Chung-chih
(Graduate Inst. of Electronics Engineering, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
92
号:
13
ページ:
133503
発行年:
2008年03月31日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)