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文献
J-GLOBAL ID：200902295162995067
整理番号：03A0407307
InNと関連合金のrf分子線エピタクシー成長とその特性
RF-Molecular Beam Epitaxy Growth and Properties of InN and Related Alloys
NANISHI Y
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
SAITO Y
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
YAMAGUCHI T
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42 号： 5A ページ： 2549-2559 発行年： 2003年05月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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