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文献
J-GLOBAL ID：200902295281613296
整理番号：07A1200971
チャネル反転を有するInGaAsエンハンスメント金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタのためのGa2O3(Gd2O3)/Si3N4二重層ゲート誘電体
Ga2O3(Gd2O3)/Si3N4 dual-layer gate dielectric for InGaAs enhancement mode metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with channel inversion
ZHENG J. F.
(Intel Corp., SC1-05, 2200 Mission Coll. Blvd., Santa Clara, California 95052, USA)
,
TSAI W.
(Intel Corp., SC1-05, 2200 Mission Coll. Blvd., Santa Clara, California 95052, USA)
,
LIN T. D.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan)
,
LEE Y. J.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan)
,
CHEN C. P.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan)
,
HONG M.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan)
,
KWO J.
(Dep. of Physics, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan)
,
CUI S.
(Dep. of Electrical Engineering, Yale Univ., New Haven, Connecticut 06520, USA)
,
MA T. P.
(Dep. of Electrical Engineering, Yale Univ., New Haven, Connecticut 06520, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 91 号： 22 ページ： 223502-1-223502-3 発行年： 2007年11月26日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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