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文献
J-GLOBAL ID：200902295335543108
整理番号：09A1099332
全周ゲートシリコンナノワイヤトランジスタの1/f雑音に与えるゲート電極の影響
Impact of Gate Electrodes on 1/f Noise of Gate-All-Around Silicon Nanowire Transistors
WEI Chengqing
(Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP)
,
WEI Chengqing
(Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore, SGP)
,
JIANG Yu
(Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore, SGP)
,
JIANG Yu
(National Univ. Singapore, Singapore, SGP)
,
XIONG Yong-Zhong
(Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore, SGP)
,
ZHOU Xing
(Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP)
,
SINGH Navab
(Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore, SGP)
,
RUSTAGI Subhash C.
(Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore, SGP)
,
LO Guo Qiang
(Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore, SGP)
,
KWONG Dim-Lee
(Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore, SGP)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 30 号： 10 ページ： 1081-1083 発行年： 2009年10月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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