前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902295675508110
整理番号：09A0458565
定格1.7kVの4H-SiCパワー金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタとショットキーバリヤーダイオードの評価
4H-SiC Power Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors and Schottky Barrier Diodes of 1.7kV Rating
MIURA Naruhisa
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
YOSHIDA Shohei
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
NAKAO Yukiyasu
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
MATSUNO Yoshinori
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KURODA Ken-ichi
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
WATANABE Shoyu
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
IMAIZUMI Masayuki
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
SUMITANI Hiroaki
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
YAMAMOTO Hidekazu
(Mitsubishi Electric Corp., Kumamoto, JPN)
,
OOMORI Tatsuo
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48 号： 4,Issue 2 ページ： 04C085.1-04C085.4 発行年： 2009年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。