文献
J-GLOBAL ID:200902295913516771
整理番号:06A0674296
Cu(In,Ga)Se2系薄膜太陽電池における原子層堆積によるZn(O,S)バッファ層:バンド配列と硫黄の勾配
Zn(O,S) buffer layers by atomic layer deposition in Cu(In,Ga)Se2 based thin film solar cells: Band alignment and sulfur gradient
著者 (6件):
PLATZER-BJOERKMAN C.
(Angstroem Solar Center, Uppsala Univ., Box 534, SE-751 21 Uppsala, SWE)
,
TOERNDAHL T.
(Angstroem Solar Center, Uppsala Univ., Box 534, SE-751 21 Uppsala, SWE)
,
ABOU-RAS D.
(ETH Zurich, Thin Film Physics Group, Lab. for Solid State Physics, Technopark, Technoparkstrasse 1, 8005 Zurich, CHE)
,
MALMSTROEM J.
(Angstroem Solar Center, Uppsala Univ., Box 534, SE-751 21 Uppsala, SWE)
,
KESSLER J.
(LAMP, Univ. of Nantes, 2, Rue de la Houssiniere, BP 92 208, 44322 Nantes Cedex 3, FRA)
,
STOLT L.
(Angstroem Solar Center, Uppsala Univ., Box 534, SE-751 21 Uppsala, SWE)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
100
号:
4
ページ:
044506-044506-9
発行年:
2006年08月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)