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文献
J-GLOBAL ID：200902296169347598
整理番号：08A0813311
水素還元雰囲気下でTDMAT(テトラキスジメチルアミノチタン)を用いた低温・低抵抗率PEALD(プラズマ原子層蒸着)TiN
Low-Temperature Low-Resistivity PEALD TiN Using TDMAT under Hydrogen Reducing Ambient
CAUBET Pierre
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
BLOMBERG Tom
(ASM Microchemistry Oy, Helsinki, FIN)
,
BENABOUD Rym
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
WYON Christophe
(Lab. d’Electronique et des Technol. de l’Information/Minatec, Commissariat a l’Energie Atomique, Grenoble, FRA)
,
BLANQUET Elisabeth
(Univ. Joseph Fourier, Saint Martin d’Heres, FRA)
,
GONCHOND Jean-Pierre
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
JUHEL Marc
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
BOUVET Philippe
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
GROS-JEAN Mickaeel
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
MICHAILOS Jean
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
RICHARD Claire
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
ITEPRAT Blaise
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
資料名：
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻： 155 号： 8 ページ： H625-H632 発行年： 2008年
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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