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文献
J-GLOBAL ID：200902296224789040
整理番号：05A0640529
縦型トンネルFETの電気的パラメータを最適化するシミュレーションアプローチ
A Simulation Approach to Optimize the Electrical Parameters of a Vertical Tunnel FET
BHUWALKA Krishna Kumar
(Univ. German Federal Armed Forces, Munich, DEU)
,
SCHULZE Joerg
(Univ. German Federal Armed Forces, Munich, DEU)
,
EISELE Ignaz
(Univ. German Federal Armed Forces, Munich, DEU)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 52 号： 7 ページ： 1541-1547 発行年： 2005年07月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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