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文献
J-GLOBAL ID：200902296281418252
整理番号：09A0372042
中性ビーム促進化学蒸着による超低k SiOC膜(k=2.2)を形成する構造設計法
Structure-designable method to form super low-k SiOC film (k = 2.2) by neutral-beam-enhanced chemical vapour deposition
YASUHARA Shigeo
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
CHUNG Juhyun
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
TAJIMA Kunitoshi
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center (STARC), Yokohama, JPN)
,
YANO Hisashi
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center (STARC), Yokohama, JPN)
,
KADOMURA Shingo
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center (STARC), Yokohama, JPN)
,
YOSHIMARU Masaki
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center (STARC), Yokohama, JPN)
,
MATSUNAGA Noriaki
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center (STARC), Yokohama, JPN)
,
KUBOTA Tomohiro
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
OHTAKE Hiroto
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SAMUKAWA Seiji
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 42 号： 5 ページ： 055208,1-7 発行年： 2009年03月07日
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPBE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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