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文献
J-GLOBAL ID：200902296375739575
整理番号：06A0749696
運動磁壁を用いた磁気メモリおよび電流増幅素子
Magnetic memory and current amplification devices using moving domain walls
BARNES S. E.
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, Japan and Physics Dep., Univ. of Miami, Coral Gables ...)
,
IEDA J.
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, Japan and CREST, Japan Sci. and Technol. Agency (JST) ...)
,
MAEKAWA S.
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, Japan and CREST, Japan Sci. and Technol. Agency (JST) ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 89 号： 12 ページ： 122507-122507-3 発行年： 2006年09月18日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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