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文献
J-GLOBAL ID:200902296375739575   整理番号:06A0749696

運動磁壁を用いた磁気メモリおよび電流増幅素子

Magnetic memory and current amplification devices using moving domain walls
著者 (3件):
BARNES S. E.
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, Japan and Physics Dep., Univ. of Miami, Coral Gables ...)
IEDA J.
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, Japan and CREST, Japan Sci. and Technol. Agency (JST) ...)
MAEKAWA S.
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, Japan and CREST, Japan Sci. and Technol. Agency (JST) ...)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 89  号: 12  ページ: 122507-122507-3  発行年: 2006年09月18日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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