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文献
J-GLOBAL ID：200902296424831075
整理番号：03A0081186
炭素ドープけい素酸化物低誘電率膜に対するヘリウムプラズマ処理後析出による酸素プラズマ損失の低減
Reduction of Oxygen Plasma Damage by Postdeposition Helium Plasma Treatment for Carbon-Doped Silicon Oxide Low Dielectric Constant Films.
WANG Y H
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
GUI D
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
KUMAR R
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
FOO P D
(Inst. Microelectronics, Singapore)
資料名：
Electrochemical and Solid-State Letters
(Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 6 号： 1 ページ： F1-F3 発行年： 2003年01月
JST資料番号： W1290A ISSN： 1099-0062 CODEN： ESLEF6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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