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文献
J-GLOBAL ID：200902296486338464
整理番号：09A0502689
インジウムスズ酸化物ナノカラム反射防止層を用いるGaAs光起電力素子の効率増強
Efficiency Enhancement of GaAs Photovoltaics Employing Antireflective Indium Tin Oxide Nanocolumns
YU Peichen
(National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHANG Chia-Hua
(National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHIU Ching-Hua
(National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
YANG Chin-Sheng
(National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
YU Jue-Chin
(National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
KUO Hao-Chung
(National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
HSU Shih-Hsin
(Academia Sinica, Taipei, TWN)
,
CHANG Yia-Chung
(Academia Sinica, Taipei, TWN)
資料名：
Advanced Materials
(Advanced Materials)
巻： 21 号： 16 ページ： 1618-1621 発行年： 2009年04月27日
JST資料番号： W0001A ISSN： 0935-9648 CODEN： ADVMEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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